BSM180D12P2C101

İstehsalçı Hissə nömrəsi:	BSM180D12P2C101
İstehsalçı:	ROHM Semiconductor
Təsvirin bir hissəsi:	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Məlumat vərəqləri:	BSM180D12P2C101 Məlumat vərəqləri
Qurğuşunsuz Status / RoHS Status:	Qurğuşunsuz / RoHS Uyğundur
Stok Vəziyyəti:	Stokda
Göndərmə:	Hong Kong
Göndərmə Yolu:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

QEYD: ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101 chipnets.com saytında mövcuddur. Biz yalnız Yeni və Orijinal hissəni satırıq və 1 il zəmanət veririk. Məhsullar haqqında daha çox bilmək və ya daha yaxşı qiymət tətbiq etmək istəyirsinizsə, lütfən bizimlə əlaqə saxlayın Onlayn Çatı vurun və ya bizə təklif göndərin.

Bütün Eelctronics Komponentləri ESD antistatik mühafizəsi ilə çox təhlükəsiz şəkildə qablaşdırılacaq.

package

Spesifikasiya

Növ	Təsvir
Seriya	-
Paket	Bulk
Hissə statusu	Active
FET növü	2 N-Channel (Half Bridge)
FET xüsusiyyət	Silicon Carbide (SiC)
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)	1200V (1.2kV)
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C	204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds	23000pF @ 10V
Güc - Maks	1130W
Əməliyyat temperaturu	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü	-
Paket / Çanta	Module
Təchizatçı Cihaz Paketi	Module

ALIŞ OPSİYONLARI

Səhm Vəziyyəti: 9

Minimum: 1

Kəmiyyət	Vahid qiymət	Ext. Qiymət
Qiymət mövcud deyil, xahiş olunur RFQ

Yükün hesablanması

FedEx tərəfindən 40 ABŞ dolları.

3-5 günə çatır

Ekspres:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)150$-dan yuxarı sifarişlər üçün ilk 0,5 kq-da pulsuz çatdırılma, Artıq çəki ayrıca tutulacaq

Populyar Modellər

Bu maddə səbətinizə əlavə edildi.