BSM400D12P2G003

İstehsalçı Hissə nömrəsi:	BSM400D12P2G003
İstehsalçı:	ROHM Semiconductor
Təsvirin bir hissəsi:	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Məlumat vərəqləri:	BSM400D12P2G003 Məlumat vərəqləri
Qurğuşunsuz Status / RoHS Status:	Qurğuşunsuz / RoHS Uyğundur
Stok Vəziyyəti:	Stokda
Göndərmə:	Hong Kong
Göndərmə Yolu:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

QEYD: ROHM Semiconductor BSM400D12P2G003 chipnets.com saytında mövcuddur. Biz yalnız Yeni və Orijinal hissəni satırıq və 1 il zəmanət veririk. Məhsullar haqqında daha çox bilmək və ya daha yaxşı qiymət tətbiq etmək istəyirsinizsə, lütfən bizimlə əlaqə saxlayın Onlayn Çatı vurun və ya bizə təklif göndərin.

Bütün Eelctronics Komponentləri ESD antistatik mühafizəsi ilə çox təhlükəsiz şəkildə qablaşdırılacaq.

package

Spesifikasiya

Növ	Təsvir
Seriya	-
Paket	Bulk
Hissə statusu	Active
FET növü	2 N-Channel (Half Bridge)
FET xüsusiyyət	Silicon Carbide (SiC)
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)	1200V (1.2kV)
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C	400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 85mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds	38000pF @ 10V
Güc - Maks	2450W (Tc)
Əməliyyat temperaturu	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü	-
Paket / Çanta	Module
Təchizatçı Cihaz Paketi	Module

ALIŞ OPSİYONLARI

Səhm Vəziyyəti: 4

Minimum: 1

Kəmiyyət	Vahid qiymət	Ext. Qiymət
Qiymət mövcud deyil, xahiş olunur RFQ

Yükün hesablanması

FedEx tərəfindən 40 ABŞ dolları.

3-5 günə çatır

Ekspres:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)150$-dan yuxarı sifarişlər üçün ilk 0,5 kq-da pulsuz çatdırılma, Artıq çəki ayrıca tutulacaq

Populyar Modellər

	BSM400D12P3G002 ROHM Semiconductor
	BSM400D12P2G003 ROHM Semiconductor

Bu maddə səbətinizə əlavə edildi.